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晶体管
CG2H80060D-GP4参考图片

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CG2H80060D-GP4

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 60 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制:
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
15 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流
6 A
输出功率
60 W
最大漏极/栅极电压
-
最大工作温度
+ 225 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
工作频率
DC to 8 GHz
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3.8 V
商品其它信息
优势价格,CG2H80060D-GP4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP S0T223 PNP 0.5A 300V
1:¥3.5369
10:¥2.8928
100:¥1.7628
1,000:¥1.3673
2,000:¥1.1639
参考库存:7895
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 2.3A SOT-23-3
1:¥3.7629
10:¥3.164
100:¥1.9323
1,000:¥1.4916
3,000:¥1.2769
参考库存:7837
晶体管
JFET JFET P-Channel -30V 50mA 360mW 2.8mW
1:¥27.5042
10:¥22.1254
100:¥18.1365
500:¥16.2946
参考库存:5498
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥1.1526
10:¥0.99101
100:¥0.35369
1,000:¥0.23843
3,000:¥0.17628
参考库存:18943
晶体管
达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil
1:¥8.6106
10:¥7.2998
100:¥5.6048
500:¥4.9607
参考库存:2577
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