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晶体管
IPT007N06NATMA1参考图片

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IPT007N06NATMA1

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库存:13,353(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥48.1832
48.1832
10
¥40.9512
409.512
100
¥35.5046
3550.46
250
¥33.6514
8412.85
2,000
¥24.2046
48409.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-HSOF-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
300 A
Rds On-漏源导通电阻
750 uOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
216 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.4 mm
长度
10.58 mm
系列
OptiMOS 5
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Power Transistor
宽度
10.1 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
160 S
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
76 ns
典型接通延迟时间
38 ns
零件号别名
IPT007N06N SP001100158
单位重量
65 mg
商品其它信息
优势价格,IPT007N06NATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Dual N Ch 12V Vds AEC-Q101 Qualified
1:¥10.4525
10:¥8.6106
100:¥6.5653
500:¥5.65
1,000:¥4.4635
3,000:¥4.4635
参考库存:6101
晶体管
MOSFET AFSM T6 60V LL U8FL WF
1:¥8.6106
10:¥7.3563
100:¥5.65
500:¥4.9833
1,500:¥3.4917
9,000:查看
参考库存:2773
晶体管
MOSFET 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
1:¥22.1254
10:¥18.4416
100:¥14.2945
500:¥12.5204
1,000:¥10.3734
2,000:¥10.3734
参考库存:4599
晶体管
MOSFET -30V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥7.2207
10:¥5.7969
100:¥4.3957
500:¥3.6386
1,000:¥2.9154
3,000:¥2.6329
参考库存:35997
晶体管
MOSFET 80V Vds 46A Id AEC-Q101 Qualified
1:¥7.684
10:¥6.3732
100:¥4.8816
500:¥4.2036
1,000:¥3.3109
3,000:¥3.1527
参考库存:33007
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