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晶体管
TGF2978-SM参考图片

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TGF2978-SM

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制:
此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
11 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
32 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 2.7 V
Id-连续漏极电流
1.3 A
输出功率
19 W
最大工作温度
+ 225 C
Pd-功率耗散
33 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-20
封装
Tray
配置
Single
高度
0.203 mm
长度
4 mm
工作频率
DC to 12 GHz
类型
GaN SiC HEMT
宽度
3 mm
商标
Qorvo
通道数量
1 Channel
开发套件
TGF2978-SMEVB1
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
零件号别名
1127373
单位重量
123 mg
商品其它信息
优势价格,TGF2978-SM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 12V,P-Ch FemtoFET MOSFET
1:¥2.9945
10:¥2.0792
100:¥0.96841
250:¥0.96841
1,000:¥0.7458
参考库存:9411
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual NPN Medium Power
1:¥8.6106
10:¥7.3563
100:¥5.65
500:¥4.9946
1,000:¥3.9437
参考库存:3172
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-11
1:¥0.92208
10:¥0.89157
100:¥0.31527
1,000:¥0.2147
10,000:¥0.13786
20,000:查看
参考库存:6928
晶体管
MOSFET 200V N-CHAN
1:¥4.7686
10:¥3.955
100:¥2.5538
1,000:¥2.034
2,000:¥2.034
参考库存:4268
晶体管
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W
1:¥6.9156
10:¥5.5935
100:¥4.2375
500:¥3.503
3,000:¥2.5425
6,000:查看
参考库存:5169
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