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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	47 kOhms
典型电阻器比率	2.14
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SC-70
直流集电极/Base Gain hfe Min	70
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	100 mW
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN1309
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	70
高度	0.9 mm
长度	2 mm
宽度	1.25 mm
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	28 mg

商品其它信息

优势价格，RN1309(TE85L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
FDPC8011S	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 25V Asymmetric 2xNCh MOSFET PowerTrench	1:¥23.4362 10:¥19.8993 100:¥17.289 250:¥16.3624 3,000:¥11.752 6,000:查看	参考库存:6926
IKP40N65H5XKSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS	1:¥27.5833 10:¥23.4362 100:¥20.2835 250:¥19.2891	参考库存:31245
BSP300H6327XUSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 800V 190mA SOT-223-3	1:¥8.7575 10:¥7.5258 100:¥5.7856 500:¥5.1189 1,000:¥4.0341	参考库存:3683
SI7623DN-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8	1:¥12.8368 10:¥10.5994 100:¥8.1473 500:¥7.0173 3,000:¥7.0173	参考库存:7326
FDS6910	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Dual N-Ch LogicLevel PowerTrench MOSFET	1:¥9.0626 10:¥7.7631 100:¥5.989 500:¥5.2997 1,000:¥4.181 2,500:¥4.181	参考库存:19438