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晶体管
SIHG47N65E-GE3参考图片

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SIHG47N65E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
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数量单价合计
1
¥62.0822
62.0822
10
¥55.935
559.35
25
¥50.9404
1273.51
100
¥45.9458
4594.58
250
¥42.262
10565.5
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
47 A
Rds On-漏源导通电阻
72 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
182 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
417 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
系列
E
宽度
5.31 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
103 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
87 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
156 ns
典型接通延迟时间
47 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，SIHG47N65E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMBT3906-HF
Comchip Technology
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor I=-200mA
1:¥1.4577
10:¥1.2317
100:¥0.47686
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.22261
参考库存:8153
ZXTN617MATA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR TRANSISTOR NPN
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.3334
参考库存:5143
BC849B-TP
Micro Commercial Components (MCC)
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 30V 0.1A
1:¥1.695
10:¥1.5594
100:¥0.46895
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:5027
RSR025N03TL
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.3165
1,000:¥1.7854
3,000:¥1.7515
参考库存:5018
FZ600R12KE4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1200V 600A
1:¥972.5684
5:¥953.4262
10:¥909.0172
25:¥889.8863
参考库存:4582
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