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晶体管
SIHG47N65E-GE3参考图片

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SIHG47N65E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
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库存：3,453(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥62.0822
62.0822
10
¥55.935
559.35
25
¥50.9404
1273.51
100
¥45.9458
4594.58
250
¥42.262
10565.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
47 A
Rds On-漏源导通电阻
72 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
182 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
417 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
系列
E
宽度
5.31 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
103 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
87 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
156 ns
典型接通延迟时间
47 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，SIHG47N65E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RN4987FE,LF(CT
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
4,000:¥0.30736
参考库存:23763
IPA65R1K5CEXKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥6.5314
10:¥5.6274
100:¥4.3279
500:¥3.8194
1,000:¥3.0171
参考库存:4153
TIP125G
ON Semiconductor
晶体管
达林顿晶体管 5A 60V Bipolar Power PNP
1:¥5.4579
10:¥4.5878
100:¥2.9606
1,000:¥2.3617
参考库存:4807
TK11A50D(STA4,Q,M)
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch 500V FET Vgss 30V 45W .45 ohm
1:¥16.9839
10:¥13.673
100:¥10.9836
500:¥9.605
参考库存:23770
DDA142TH-7
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 0.47K
1:¥3.0736
10:¥2.1696
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.65314
参考库存:6160
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