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晶体管
IKP20N60T参考图片

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IKP20N60T

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 20A
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库存：3,955(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥23.8995
23.8995
10
¥20.3626
203.626
100
¥17.5941
1759.41
250
¥16.7466
4186.65
500
¥14.9838
7491.9
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
41 A
Pd-功率耗散
166 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
高度
9.25 mm
长度
10 mm
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKP20N60TXKSA1 IKP2N6TXK SP000683066
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IKP20N60T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPB180N03S4L-01
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
1:¥19.3682
10:¥16.4415
100:¥13.1419
500:¥11.526
1,000:¥9.5259
参考库存:2841
SST4401T116
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 40V 0.6A
1:¥3.6838
10:¥2.3391
100:¥1.00683
1,000:¥0.77631
3,000:¥0.59212
参考库存:7444
APT8015JVR
Microsemi
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS5
1:¥627.2404
5:¥607.5784
10:¥589.1368
25:¥562.627
参考库存:2743
IKP10N60T
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 10A
1:¥12.0684
10:¥10.2943
100:¥8.2264
500:¥7.2094
参考库存:2985
BC860BW,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥1.3786
10:¥1.2995
100:¥0.46104
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23843
参考库存:4173
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