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晶体管
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BD135

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Audio Amplifier
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数量单价合计
1
¥3.9211
3.9211
10
¥3.0397
30.397
100
¥1.6498
164.98
1,000
¥1.2317
1231.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
SOT-32-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
45 V
集电极—基极电压 VCBO
45 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.5 V
最大直流电集电极电流
1.5 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BD135
直流电流增益 hFE 最大值
250
高度
10.8 mm
长度
7.8 mm
封装
Tube
宽度
2.7 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
1.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
25
Pd-功率耗散
12.5 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
单位重量
60 mg
商品其它信息
优势价格,BD135的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1A PNP Medium Power Transistors
3,000:¥0.63732
9,000:¥0.58421
24,000:¥0.54579
45,000:¥0.49155
99,000:¥0.46895
参考库存:34192
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/2A/800V DPAK
暂无价格
参考库存:8322
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
1:¥2.9945
10:¥2.5312
100:¥1.5481
1,000:¥1.1865
2,500:¥1.01474
10,000:¥1.01474
参考库存:16344
晶体管
MOSFET P-CH/250V/3.1A/ 2.1OHM
2,500:¥3.0284
10,000:¥2.9154
25,000:¥2.825
参考库存:34199
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) High voltage NPN Transistor with diode
15,000:¥1.4916
24,375:¥1.4125
48,750:¥1.3786
参考库存:27327
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