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晶体管
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RE1C001UNTCL

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数量单价合计
1
¥2.6103
2.6103
10
¥1.7289
17.289
100
¥0.72207
72.207
1,000
¥0.49155
491.55
3,000
¥0.3842
1152.6
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-416FL-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
100 mA
Rds On-漏源导通电阻
3.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
300 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel MOSFET
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
38 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
5 ns
零件号别名
RE1C001UN
单位重量
6 mg
商品其它信息
优势价格，RE1C001UNTCL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI7374DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V 24A 56W 5.5mohm @ 10V
3,000:¥14.5205
参考库存:30600
IF1320-TR
InterFET
晶体管
JFET JFET N-Channel Reel of 1000
1:¥29.9676
10:¥24.1255
100:¥19.7524
500:¥17.7523
1,000:¥14.9838
参考库存:30603
SIHF16N50C-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-Channel 500V
1,000:¥24.8939
3,000:¥23.6622
参考库存:30606
IPD100N04S4L02ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
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2,500:¥7.91
5,000:¥7.684
10,000:¥7.3789
参考库存:30609
QPD2194SR
Qorvo
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 300 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor
100:¥1,124.8585
参考库存:30612
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