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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	1 kOhms
典型电阻器比率	0.1
安装风格	SMD/SMT
直流集电极/Base Gain hfe Min	50
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最小工作温度	- 65 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN1114MFV
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	50 V
发射极 - 基极电压 VEBO	5 V
高度	1.2 mm
长度	1.2 mm
工作温度范围	- 65 C to + 150 C
类型	NPN Epitaxial Silicon Transistor
宽度	0.5 mm
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors

商品其它信息

优势价格，RN1114MFV(TPL3)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SSM6N17FU(TE85L,F)	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 2-in-1 MOSFET ID=100mA VDSS=50V	1:¥4.9155 10:¥3.5143 100:¥1.1752 1,000:¥0.90626 3,000:¥0.76049	参考库存:23222
BCW71,215	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7	1:¥2.0001 10:¥1.356 100:¥0.56839 1,000:¥0.3842 3,000:¥0.30736	参考库存:11612
PSMN2R6-60PSQ	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Channel MOSFET	1:¥19.9784 10:¥16.9839 100:¥13.6052 500:¥11.9102	参考库存:7614
MRF157	Advanced Semiconductor, Inc.	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor	1:¥3,957.26 10:¥3,780.528	参考库存:23229
NPTB00025B	MACOM	晶体管	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4.0GHz 25W Gain 13.5dB GaN HEMT	1:¥1,323.2639 2:¥1,286.6067 5:¥1,257.1815 10:¥1,220.4452	参考库存:23232