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晶体管
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RM2N650IP

  • Rectron
  • 新批次
  • MOSFET TO-251 MOSFET
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数量单价合计
2,400
¥3.1753
7620.72
3,200
¥2.7233
8714.56
5,600
¥2.486
13921.6
10,400
¥2.2713
23621.52
25,600
¥2.2261
56988.16
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Rectron
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
2 A
Rds On-漏源导通电阻
2.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
10 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
23 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Rectron
正向跨导 - 最小值
2 S
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
65 ns
典型接通延迟时间
6 ns
商品其它信息
优势价格,RM2N650IP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥115.034
200:¥104.8075
500:¥98.0501
1,000:¥89.9819
参考库存:39374
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暂无价格
参考库存:39377
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/PNP High Voltage 250V 250Vceo 6.0pF
暂无价格
参考库存:39380
晶体管
MOSFET N-CH MOS 60V 35A
暂无价格
参考库存:39383
晶体管
MOSFET Power MOSFET
1,000:¥10.7576
2,500:¥10.2152
参考库存:39386
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