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晶体管
IRG4BC30SPBF参考图片

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IRG4BC30SPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V DC-1 KHZ (STD) DISCRETE IGBT
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库存:4,670(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.8994
21.8994
10
¥18.5998
185.998
100
¥14.8256
1482.56
500
¥12.9837
6491.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.4 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
34 A
Pd-功率耗散
100 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
34 A
高度
8.77 mm
长度
10.54 mm
宽度
4.69 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001535662
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRG4BC30SPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 80V 100A TDSON-8
1:¥17.8992
10:¥15.2098
100:¥12.1362
500:¥10.6785
5,000:¥7.91
10,000:查看
参考库存:17032
晶体管
MOSFET 40V StrongIRFET 195A,1.6mOhm,216nC
1:¥19.7524
10:¥16.7466
100:¥13.447
500:¥11.752
800:¥9.6841
2,400:¥9.605
参考库存:5882
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 2970pF 41nC 33A 30W
1:¥10.1474
10:¥8.1473
100:¥6.215
500:¥5.4918
5,000:¥3.8533
10,000:查看
参考库存:5178
晶体管
MOSFET Small Signal MOSFET
1:¥4.5313
10:¥3.277
100:¥1.09836
1,000:¥0.83733
4,000:¥0.70738
参考库存:4803
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_55/60V
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥8.0682
500:¥7.0399
参考库存:1839
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