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晶体管
ALD210804SCL参考图片

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ALD210804SCL

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库存:36,438(价格仅供参考)
数量单价合计
50
¥29.5043
1475.215
100
¥27.5833
2758.33
250
¥24.8939
6223.475
500
¥22.3627
11181.35
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Linear Devices
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-16
通道数量
4 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
10 V
Id-连续漏极电流
70 mA
Rds On-漏源导通电阻
25 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10.6 V
最小工作温度
0 C
最大工作温度
+ 70 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Quad
通道模式
Enhancement
商标名
EPAD
封装
Tube
系列
ALD210804S
晶体管类型
4 N-Channel
商标
Advanced Linear Devices
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
666 mg
商品其它信息
优势价格,ALD210804SCL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -30V Vds 20V Vgs 1206-8 ChipFET
1:¥7.9891
10:¥6.6444
100:¥5.0963
500:¥4.3844
3,000:¥4.3844
参考库存:8646
晶体管
MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET Power
1:¥11.752
10:¥10.0683
100:¥7.684
500:¥6.8478
1,000:¥5.4127
4,000:¥5.4127
参考库存:7961
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥8.1473
10:¥7.9891
25:¥6.8026
100:¥6.1698
2,000:¥4.2149
4,000:查看
参考库存:5693
晶体管
MOSFET 30V 2.9A Dual P Ch PowerTrench
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.5594
参考库存:21909
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5
1:¥35.8888
10:¥30.51
100:¥26.4307
250:¥25.0521
1,000:¥18.984
2,000:查看
参考库存:5755
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