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晶体管
PTFB183404E-V1-R0参考图片

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PTFB183404E-V1-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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库存:31,911(价格仅供参考)
数量单价合计
50
¥1,281.0019
64050.095
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
增益
17 dB
输出功率
340 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-36275-8
封装
Reel
工作频率
1805 MHz to 1880 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格,PTFB183404E-V1-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 40V 18A 5mOhm 33nC Qg
1:¥12.0684
10:¥10.2943
100:¥7.8422
500:¥6.9834
1,000:¥5.5144
4,000:¥5.5144
参考库存:21874
晶体管
MOSFET WL-CSP Dual Nchannel MOSFET
1,000:¥2.8589
2,000:¥2.3165
10,000:¥2.2261
25,000:¥2.147
参考库存:36393
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -400V Vceo -100mA Ic MPT3
1:¥4.9946
10:¥4.1245
100:¥2.5086
1,000:¥1.9436
2,000:¥1.6611
参考库存:5822
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP -100mA -50V w/bias resistor
1:¥1.695
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:12660
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 30/40V
1:¥42.262
10:¥35.8888
100:¥31.1202
250:¥29.5043
2,000:¥21.2101
4,000:查看
参考库存:8165
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