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晶体管
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2N3866A

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 55Vcbo 30Vceo 3.5Vebo 0.4A 5.0W
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数量单价合计
1
¥41.4936
41.4936
10
¥37.0414
370.414
100
¥33.7305
3373.05
250
¥30.4309
7607.725
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-39-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
集电极—基极电压 VCBO
55 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3.5 V
集电极—射极饱和电压
1 V
增益带宽产品fT
800 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
系列
2N3866A
直流电流增益 hFE 最大值
200 at 50 mA, 5 V
封装
Bulk
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
0.4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
25 at 50 mA, 5 V
Pd-功率耗散
5 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
零件号别名
2N3866A PBFREE
商品其它信息
优势价格,2N3866A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:24517
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS-T2
1:¥12.5204
10:¥10.6785
100:¥8.2264
500:¥7.2659
参考库存:4387
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE8VP8600HS/CFM4F///REEL 13
1:¥1,163.1316
5:¥1,140.3056
10:¥1,087.1278
25:¥1,064.3131
参考库存:24522
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
4,000:¥0.30736
参考库存:24525
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP -50V -0.1A 2.2kO SOT-323
1:¥2.4634
10:¥1.6611
100:¥0.69156
1,000:¥0.47686
3,000:¥0.36838
参考库存:6915
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