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晶体管
FQD12N20LTM-F085P参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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FQD12N20LTM-F085P

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 200V /9A/0.28 OHM @ VGS=10V
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库存:31,835(价格仅供参考)
数量单价合计
2,500
¥5.6161
14040.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DPAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
9 A
Rds On-漏源导通电阻
220 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
21 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
55 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
11.6 S
下降时间
120 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
190 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
FQD12N20LTM_F085P
单位重量
200 mg
商品其它信息
优势价格,FQD12N20LTM-F085P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥5.8421
10:¥4.8364
25:¥4.068
100:¥3.6838
2,000:¥2.3843
参考库存:15372
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_30/40V
1,000:¥11.3678
2,000:¥10.8367
5,000:¥10.4525
参考库存:15375
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
1:¥7.2207
10:¥6.215
100:¥4.7686
500:¥4.2149
1,000:¥3.3335
参考库存:4178
晶体管
MOSFET N-Channel 600V
1:¥47.799
10:¥39.6517
100:¥32.5779
250:¥31.5835
500:¥28.3517
800:¥28.3517
参考库存:1980
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BC846B/SN/SOT23/TO-236AB
1:¥0.99892
10:¥0.87575
100:¥0.30736
1,000:¥0.20792
参考库存:15382
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