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产品分类

晶体管
QPD1022SR参考图片

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QPD1022SR

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 10W 32V GaN
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库存:31,738(价格仅供参考)
数量单价合计
100
¥206.2363
20623.63
200
¥191.7949
38358.98
500
¥178.3479
89173.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
24 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
32 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 2.8 V
Id-连续漏极电流
610 mA
输出功率
10 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
13.8 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-16
封装
Reel
工作频率
DC to 12 GHz
系列
QPD1022
商标
Qorvo
开发套件
QPD1022EVB01
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,QPD1022SR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 500V 21A TO247-3 CoolMOS C3
1:¥34.1147
10:¥28.9732
100:¥25.1312
250:¥23.8204
500:¥21.357
参考库存:5101
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP BJT PNP 60V 2A 3PIN
1:¥3.842
10:¥2.938
100:¥1.5933
1,000:¥1.1978
3,000:¥1.10627
参考库存:7032
晶体管
MOSFET PT9 N-ch 30V/12V Power Trench MOSFET
1:¥14.9047
10:¥12.6786
100:¥10.1474
500:¥8.8366
3,000:¥6.8704
6,000:查看
参考库存:5871
晶体管
MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 4.5A, 900mOhm
1:¥13.2888
10:¥11.9893
100:¥9.6841
500:¥7.5032
参考库存:6479
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 71A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
5,000:¥2.7685
参考库存:12296
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