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晶体管
IPW60R037P7XKSA1参考图片

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IPW60R037P7XKSA1

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库存:9,756(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥78.761
78.761
10
¥71.2352
712.352
25
¥67.9243
1698.1075
100
¥58.9408
5894.08
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
76 A
Rds On-漏源导通电阻
30 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
121 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
255 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
系列
CoolMOS P7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
21 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
90 ns
典型接通延迟时间
22 ns
零件号别名
IPW60R037P7 SP001606060
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPW60R037P7XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 600V 2A N Channel Mosfet
5,000:¥2.2148
10,000:¥2.1809
25,000:¥2.1244
参考库存:27812
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V U-DFN2020-6 T&R 10K
1:¥4.6104
10:¥3.8872
100:¥2.5086
1,000:¥2.0001
10,000:¥2.0001
参考库存:27815
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
600:¥85.9026
参考库存:27818
晶体管
MOSFET T6 60V NCH LL IN U8FL
5,000:¥2.8476
10,000:¥2.7346
25,000:¥2.6555
参考库存:6494
晶体管
MOSFET U-MOSIX-H 45V 139A 39nC MOSFET
5,000:¥2.9493
10,000:¥2.8363
25,000:¥2.7459
参考库存:27823
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