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晶体管
CSD18535KTTT参考图片

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CSD18535KTTT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET SMALL REEL OF KTT PKG
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库存:5,021(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥24.6679
24.6679
10
¥22.2045
222.045
50
¥22.2045
1110.225
100
¥18.1365
1813.65
250
¥17.063
4265.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
200 A
Rds On-漏源导通电阻
2.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.9 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
81 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.7 mm
长度
9.25 mm
系列
CSD18535KTT
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
10.26
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
263 S
下降时间
3 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
9 ns
商品其它信息
优势价格,CSD18535KTTT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 30 Volt 80 Amp
1:¥25.8205
10:¥21.9785
100:¥18.984
250:¥18.0574
参考库存:4290
晶体管
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.4524
500:¥7.4015
1,000:¥6.1359
参考库存:4272
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PDTC123YMB/XQFN3/REEL 7" Q1/T1
1:¥3.2318
10:¥2.2713
100:¥1.04525
1,000:¥0.79891
10,000:¥0.62263
20,000:查看
参考库存:13264
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R 3K
1:¥3.616
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
3,000:¥1.2317
参考库存:4241
晶体管
MOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 2.3A
1:¥5.4579
10:¥4.5426
100:¥2.938
1,000:¥2.3391
4,000:¥2.3391
参考库存:6968
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