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晶体管
PD57045-E参考图片

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PD57045-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
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库存:31,423(价格仅供参考)
数量单价合计
400
¥316.2757
126510.28
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
5 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
13 dB
输出功率
45 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD57045-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
73 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD57045-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥4.9155
10:¥4.1358
100:¥2.5199
1,000:¥1.9549
2,000:¥1.6724
参考库存:15675
晶体管
射频开发工具 MRFX600H-88MHZ/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥6,915.826
参考库存:15678
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_30/40V
1:¥21.2101
10:¥17.9783
100:¥14.3736
500:¥12.5995
2,000:¥9.6841
4,000:查看
参考库存:3481
晶体管
MOSFET MOSFETBVDSS: 41V-60V
1:¥4.3053
10:¥3.6273
100:¥2.2148
1,000:¥1.7063
2,500:¥1.4577
参考库存:123983
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
1:¥5.763
10:¥4.7347
100:¥3.051
1,000:¥2.4408
2,500:¥2.4408
参考库存:3975
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