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晶体管
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STWA48N60M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.06 Ohm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 long leads package
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数量单价合计
1
¥67.6983
67.6983
10
¥61.1669
611.669
25
¥58.3193
1457.9825
100
¥50.6353
5063.53
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
42 A
Rds On-漏源导通电阻
70 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
70 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
系列
STWA48N60M2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
119 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
18.5 ns
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC817-40Q-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS Low Sat Transistor
1:¥1.4577
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.23052
参考库存:89590
FD1000R33HL3-K
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥16,300.7585
参考库存:1435
IKA15N65ET6XKSA2
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 Discrete 650 V TRENCHSTOP IGBT6 with soft, fast recovery anti-parallel Rapid diode
1:¥15.0629
10:¥12.8368
100:¥10.2152
500:¥8.9948
参考库存:1899
FP150R12KT4
Infineon / IR
晶体管
IGBT 模块
1:¥1,910.4684
5:¥1,864.4435
10:¥1,818.1926
25:¥1,792.6772
参考库存:1449
FCU600N65S3R0
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET SUPERFET3 650V 6A 600 mOhm
1:¥8.4524
10:¥7.2546
100:¥5.5709
500:¥4.9268
参考库存:3120
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