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晶体管
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2N3019

  • Rectron
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon Planar Transistor
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数量单价合计
3,000
¥7.1077
21323.1
6,000
¥6.328
37968
9,000
¥5.6839
51155.1
12,000
¥5.1754
62104.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Rectron
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-93-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
集电极—基极电压 VCBO
140 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
0.5 V
最大直流电集电极电流
1 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
直流电流增益 hFE 最大值
300 at 150 mA, 10 V
封装
Bulk
商标
Rectron
集电极连续电流
1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
80
Pd-功率耗散
5 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
217 mg
商品其它信息
优势价格，2N3019的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPI80N04S4-04
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2
1:¥9.9101
10:¥8.4524
100:¥6.5314
500:¥5.7743
参考库存:1777
FS75R17KE3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 130A
1:¥1,133.9324
5:¥1,111.6488
10:¥1,059.8496
25:¥1,037.566
参考库存:1555
FP10R12W1T4_B29
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥293.8339
5:¥290.7603
10:¥271.0192
25:¥258.8717
参考库存:27874
APT64GA90B2D30
Microsemi
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi
1:¥97.3608
10:¥88.5242
25:¥81.8346
50:¥77.4502
参考库存:1561
MUN5231DW1T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥2.147
10:¥1.469
100:¥0.61472
1,000:¥0.42262
3,000:¥0.32996
参考库存:45307
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