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晶体管
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FDB150N10

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库存:3,015(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.9728
20.9728
10
¥17.8314
178.314
100
¥15.4471
1544.71
250
¥14.6787
3669.675
800
¥11.1418
8913.44
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
57 A
Rds On-漏源导通电阻
15 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
FDB150N10
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.65 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
83 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
164 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
86 ns
典型接通延迟时间
47 ns
单位重量
1.312 g
商品其它信息
优势价格,FDB150N10的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT SMPS Series
1:¥50.1042
10:¥45.3356
25:¥43.1886
100:¥37.4934
参考库存:5142
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR SPCL TR
1:¥2.147
10:¥1.4577
100:¥0.60681
1,000:¥0.41471
3,000:¥0.32318
参考库存:343360
晶体管
IGBT 晶体管 600V 5A NPT IGBT
1:¥13.7521
10:¥11.6842
100:¥9.2999
500:¥8.1473
800:¥6.78
参考库存:6313
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 15A 350V 230W NPN
1:¥45.6407
10:¥41.2676
25:¥39.3466
100:¥34.1938
参考库存:5218
晶体管
MOSFET RAIL PWR-MOS
1:¥11.752
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥6.9947
参考库存:9135
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