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晶体管
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J108

  • InterFET
  • 新批次
  • JFET JFET N-Channel -25V 50mA 360mW 3.27mW
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数量单价合计
1
¥33.4254
33.4254
10
¥26.894
268.94
100
¥22.0576
2205.76
500
¥19.8202
9910.1
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
InterFET
产品种类
JFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
N-Channel
配置
Single
Vds-漏源极击穿电压
15 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 25 V
Vgs=0时的漏-源电流
80 mA
Id-连续漏极电流
1 uA
Rds On-漏源导通电阻
8 Ohms
Pd-功率耗散
360 mW
系列
J108
封装
Bulk
类型
JFET
商标
InterFET
闸/源截止电压
- 10 V
工厂包装数量
1
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格，J108的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC857AMB,315
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 45 V, 100 mA PNP General Purpose Tran
10,000:¥0.22261
20,000:¥0.2147
50,000:¥0.20001
100,000:¥0.17628
参考库存:33951
NGTD30T120F2WP
ON Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 1200V/50A CJ57 FAST IGBT
158:¥28.4308
250:¥26.9731
500:¥24.2046
1,000:¥20.4417
参考库存:47409
TP2435N8-G
Microchip Technology
晶体管
MOSFET 350V 15Ohm
1:¥10.7576
10:¥10.5994
25:¥8.9157
100:¥8.1473
2,000:¥5.6161
4,000:查看
参考库存:6893
MRFE6VP6600GNR3
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP6600GN/FM4///REEL 13 Q2 DP
250:¥654.5186
参考库存:33958
NTMFS4H01NT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 25V 334A 700MO
1,500:¥6.5201
4,500:¥6.2828
9,000:¥6.0342
参考库存:583608
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