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晶体管
A2V09H400-04NR3参考图片

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A2V09H400-04NR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2V09H400-04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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库存：31,141(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥782.0052
195501.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.1 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 105 V
增益
17.9 dB
输出功率
107 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-780-4
封装
Reel
工作频率
720 MHz to 960 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
零件号别名
935337372528
单位重量
3.074 g
商品其它信息
优势价格，A2V09H400-04NR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PSMN011-60MSX
Nexperia
晶体管
MOSFET N-channel 60 V 11.3 mOhm MOSFET
1:¥5.9212
10:¥4.859
100:¥3.1414
1,000:¥2.5086
1,500:¥2.5086
参考库存:1881
SIS888DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
1:¥12.6786
10:¥10.4525
100:¥7.9891
500:¥6.9043
3,000:¥6.9043
参考库存:10240
NSS35200MR6T1G
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晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 2A 35V Low VCEsat
1:¥3.842
10:¥2.8815
100:¥1.5594
1,000:¥1.1752
3,000:¥1.00683
参考库存:2583
SUD50N04-8M8P-4GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 40V 50A 48.1W 8.8mohm @ 10V
1:¥12.8368
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.0173
2,500:¥7.0173
参考库存:8425
2N6668
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Pwr Darlington
1:¥18.6676
10:¥16.5997
100:¥13.2888
500:¥11.6842
1,000:¥9.6841
参考库存:2342
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