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晶体管
A2V09H400-04NR3参考图片

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A2V09H400-04NR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2V09H400-04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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库存：31,141(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥782.0052
195501.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.1 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 105 V
增益
17.9 dB
输出功率
107 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-780-4
封装
Reel
工作频率
720 MHz to 960 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
零件号别名
935337372528
单位重量
3.074 g
商品其它信息
优势价格，A2V09H400-04NR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSO110N03MSGXUMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 12.1A DSO-8 OptiMOS 3M
1:¥6.3732
10:¥5.3449
100:¥3.4465
1,000:¥2.7685
2,500:¥2.7685
参考库存:13595
FS30R06W1E3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 600V 45A
1:¥223.6835
5:¥221.3783
10:¥206.3154
25:¥197.0946
参考库存:3671
APT13005DI-G1
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 450V NPN High Volt PWR Trans 450BVceo
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
参考库存:3943
F4-150R12KS4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 180A
1:¥1,722.7528
5:¥1,681.2592
10:¥1,639.5396
25:¥1,616.5554
参考库存:3671
RGW60TS65DGC11
ROHM Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
1:¥36.5781
10:¥31.0411
100:¥26.9731
250:¥25.5832
参考库存:4103
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