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晶体管
PSMN011-60MSX参考图片

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PSMN011-60MSX

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 60 V 11.3 mOhm MOSFET
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库存:1,881(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.9212
5.9212
10
¥4.859
48.59
100
¥3.1414
314.14
1,000
¥2.5086
2508.6
1,500
¥2.5086
3762.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
LFPAK56-5
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
61 A
Rds On-漏源导通电阻
11.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
23 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
91 W
配置
Triple
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Nexperia
下降时间
9.18 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.46 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16.9 ns
典型接通延迟时间
6.7 ns
单位重量
57.700 mg
商品其它信息
优势价格,PSMN011-60MSX的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 320A
1:¥2,739.8884
5:¥2,574.7502
参考库存:2225
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥59.551
10:¥53.788
25:¥51.2568
100:¥44.4881
3,000:¥32.4988
参考库存:2228
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥21.9785
10:¥18.6676
100:¥14.9047
500:¥13.0628
1,000:¥10.8367
参考库存:2696
晶体管
MOSFET SSOT-6 P-CH
1:¥3.842
10:¥3.1866
100:¥1.9436
1,000:¥1.5029
3,000:¥1.2882
参考库存:92095
晶体管
MOSFET TRANS MOSFET PCH 30V 4A 8PIN
1:¥6.9947
10:¥5.9664
100:¥4.5765
500:¥4.0454
3,000:¥2.8363
9,000:查看
参考库存:2900
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