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晶体管
TSM60NB099CZ C0G参考图片

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TSM60NB099CZ C0G

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET, Single, N-Ch SJ G2, 600V, 38A
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库存:29,927(价格仅供参考)
数量单价合计
4,000
¥26.5889
106355.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
38 A
Rds On-漏源导通电阻
86 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
62 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
298 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
N-Channel Power MOSFET
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
87 ns
典型接通延迟时间
18 ns
商品其它信息
优势价格,TSM60NB099CZ C0G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥9.379
10:¥9.2208
25:¥7.7631
100:¥7.119
2,000:¥4.859
4,000:查看
参考库存:6640
晶体管
MOSFET 100V N-Channel 2A MOSFET
1:¥5.2997
10:¥4.4522
100:¥2.8702
1,000:¥2.2939
参考库存:8327
晶体管
MOSFET 40V 10.9A N-CHANNEL MOSFET
1:¥9.5259
10:¥8.1473
100:¥6.2828
500:¥5.5596
1,000:¥4.3844
2,500:¥4.3844
参考库存:6639
晶体管
MOSFET SF2 600V 41MOHM E TO247
1:¥64.6247
10:¥58.3984
25:¥55.6299
100:¥48.3301
参考库存:5110
晶体管
MOSFET 40/20V Nch Power Trench
1:¥9.831
10:¥8.3733
100:¥6.4636
500:¥5.7065
2,500:¥4.0002
10,000:查看
参考库存:9904
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