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晶体管
FGL60N100BNTD参考图片

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FGL60N100BNTD

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库存:29,643(价格仅供参考)
数量单价合计
375
¥33.6514
12619.275
750
¥30.1936
22645.2
1,125
¥25.4363
28615.8375
2,625
¥24.2046
63537.075
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-264-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1000 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
25 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
180 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FGL60N100BNTD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
高度
26 mm
长度
20 mm
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
60 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 500 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
375
子类别
IGBTs
零件号别名
FGL60N100BNTD_NL
单位重量
6.756 g
商品其它信息
优势价格,FGL60N100BNTD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-CH 20V 4A TSMT6
1:¥4.3844
10:¥3.6047
100:¥2.3165
1,000:¥1.8645
3,000:¥1.5707
参考库存:4303
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 4.7KOhms 250MHz
1:¥2.0792
10:¥1.356
100:¥0.66105
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.29945
参考库存:8061
晶体管
IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 2A
1:¥12.1362
10:¥10.3734
100:¥7.9891
500:¥7.0738
2,500:¥4.9494
10,000:查看
参考库存:2306
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN SW 40V 100MA
1:¥3.6838
10:¥2.8476
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
参考库存:6587
晶体管
IGBT 晶体管 TRENCHSTOP 5 S5 is the new IGBT family addressing applications switching between 10kHz and 40kHz to deliver high efficiency, faster time-to-market cycles, circuit design complexity reduction and PCB bill of material cost optimization.
1:¥36.273
10:¥30.8151
100:¥26.7358
250:¥25.3572
500:¥22.7469
参考库存:2413
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