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晶体管
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R5205CNDTL

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET LO CURR HI EFF MOSFT HI BREAKDWN RESIST
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数量单价合计
2,500
¥6.1811
15452.75
5,000
¥5.9438
29719
10,000
¥5.7178
57178
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
5 A
Rds On-漏源导通电阻
1.3 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
10.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
65 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
20 ns
零件号别名
R5205CND
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格，R5205CNDTL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MUN5241T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN DIGITAL TRANSISTOR
1:¥1.2317
10:¥1.08367
100:¥0.3842
1,000:¥0.25312
3,000:¥0.20001
参考库存:21741
NTMFS4C35NT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET Pwr MOSFET 30V 80A 3.2mOhm SGL N-CH
1:¥6.3732
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
1,500:¥2.2939
参考库存:5071
RN4902FE(TE85L,F)
Toshiba
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双极晶体管 - 预偏置 Gen Trans PNP x 2 ES6, -50V, -100A
1:¥3.2318
10:¥1.8419
100:¥0.84524
1,000:¥0.61472
4,000:¥0.46104
24,000:¥0.3842
参考库存:7740
NSVMMBT5087LT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT23 LN XSTR PNP 50V
1:¥2.8476
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
3,000:¥0.46104
参考库存:11211
TPC8067-H,LQ(S
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch 30V FET 9A 1.9W 690pF
1:¥5.763
10:¥4.407
100:¥2.8476
1,000:¥2.2713
2,500:¥1.921
参考库存:4781
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