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晶体管
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NPT2022

  • MACOM
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  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2.0GHz 100W Gain 20dB GaN HEMT
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数量单价合计
1
¥988.7726
988.7726
2
¥961.4944
1922.9888
5
¥939.4481
4697.2405
10
¥912.0117
9120.117
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN Si
增益
21 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
160 V
Vgs-栅源极击穿电压
3 V
Id-连续漏极电流
24 mA
输出功率
100 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
Screw Mount
封装
Tray
配置
Single
工作频率
2 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
商标
MACOM
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
200 mOhms
工厂包装数量
20
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 1.6 V
商品其它信息
优势价格，NPT2022的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRF9Z34NPBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET MOSFT PCh -55V -17A 100mOhm 23.3nC
1:¥6.6896
10:¥5.7517
100:¥4.4296
500:¥3.9098
1,000:¥3.0849
参考库存:7552
BSO211P H
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET SMALL SIGNAL N-CH
1:¥7.6049
10:¥6.4975
100:¥4.9946
500:¥4.407
1,000:¥3.4804
2,500:¥3.4804
参考库存:3513
ZXMHC3F381N8TC
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET H-BRIDGE SOP-8L
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
2,500:¥3.4578
参考库存:27240
TN0106N3-G-P003
Microchip Technology
晶体管
MOSFET N-Channel DMOS FET Low Threshold 2.0V
1:¥6.4523
10:¥6.3958
25:¥5.3788
100:¥4.9042
2,000:¥3.3448
4,000:查看
参考库存:2543
IPB80P03P4-05
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET P-Ch -30V -80A D2PAK-2 OptiMOS-P2
1:¥15.2889
10:¥12.9837
100:¥10.3734
500:¥9.0626
1,000:¥7.5371
参考库存:2005
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