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晶体管
TSC741CZ C0G参考图片

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TSC741CZ C0G

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) High voltage NPN Transistor with diode
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库存:28,926(价格仅供参考)
数量单价合计
4,000
¥2.5086
10034.4
5,000
¥2.4634
12317
10,000
¥2.2487
22487
25,000
¥2.1696
54240
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
450 V
集电极—基极电压 VCBO
1050 V
发射极 - 基极电压 VEBO
15 V
集电极—射极饱和电压
0.5 V
最大直流电集电极电流
4 A
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
100
封装
Reel
商标
Taiwan Semiconductor
集电极连续电流
2.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
18
Pd-功率耗散
60 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,TSC741CZ C0G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V 50A 83W AEC-Q101 Qualified
1:¥22.6678
10:¥18.8258
100:¥14.5996
500:¥12.7577
2,000:¥9.831
10,000:查看
参考库存:9743
晶体管
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 40mOhms
1:¥12.1362
10:¥10.3734
100:¥7.9891
500:¥7.0173
1,000:¥5.537
参考库存:4420
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥193.5577
5:¥184.8793
10:¥179.1163
25:¥164.5958
参考库存:4412
晶体管
MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
1:¥79.2243
100:¥76.3767
500:¥72.6138
800:¥72.6138
参考库存:34965
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Silicon Transistor
1:¥4.7686
10:¥3.9663
100:¥2.5538
1,000:¥2.0453
参考库存:9260
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