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250	¥648.6878	162171.95

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相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	20 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	-
输出功率	200 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	-
Pd-功率耗散	-
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	NI400-2
封装	Tray
应用	Microcell Base Station, W-CDMA / LTE
配置	Single
工作频率	2.5 GHz to 2.7 GHz
系列	QPD
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	250
子类别	Transistors
零件号别名	1130963

商品其它信息

优势价格，QPD2796的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
CSD86356Q5DT	Texas Instruments	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 25V POWERBLOCK N CH MOSFET	1:¥21.357 10:¥18.1365 100:¥14.5205 250:¥14.5205 500:¥12.6786	参考库存:3653
FP15R12W1T4PBPSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 LOW POWER EASY	1:¥289.6077 5:¥283.1554 10:¥270.2508 25:¥258.9508	参考库存:2982
SIHG44N65EF-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC	1:¥75.6874 10:¥68.1616 25:¥62.0822 100:¥56.0141	参考库存:3440
MMBF170Q-7-F	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 60Vdgr	1:¥2.6103 10:¥1.7176 100:¥0.73789 1,000:¥0.56839 3,000:¥0.43053	参考库存:22596
SQJA64EP-T1_GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 60V Vds AEC-Q101 Qualified	1:¥5.763 10:¥4.5765 100:¥3.4691 500:¥2.8702 1,000:¥2.2939 3,000:¥2.0792	参考库存:8761