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晶体管
TSM650P02CX RFG参考图片

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TSM650P02CX RFG

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 20V P channel Power Mosfet
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数量单价合计
1
¥4.4522
4.4522
10
¥3.1527
31.527
100
¥2.0566
205.66
500
¥1.2091
604.55
3,000
¥0.82264
2467.92
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
4.1 A
Rds On-漏源导通电阻
52 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
6.4 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.56 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
11.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17.4 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40.7 ns
典型接通延迟时间
5 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
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