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晶体管
SIHB23N60E-GE3参考图片

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SIHB23N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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数量单价合计
1
¥35.5724
35.5724
10
¥31.8095
318.095
100
¥26.2838
2628.38
250
¥23.1311
5782.775
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
23 A
Rds On-漏源导通电阻
158 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
63 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
227 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
E
宽度
9.65 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
34 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
38 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
66 ns
典型接通延迟时间
22 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格，SIHB23N60E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DXT690BP5-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR TRANS,NPN 45V,3A
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
5,000:¥1.9662
参考库存:8351
DMJ65H190SCTI
Diodes Inc. / Pericom
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 501V~650V ITO-220AB TUBE 50PCS
1:¥25.5832
10:¥21.7412
100:¥18.8258
250:¥17.8992
500:¥16.0573
参考库存:17553
SI3471CDV-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 12V 8.0A 3.8W 27mohm @ 4.5V
1:¥5.0737
10:¥3.8872
100:¥2.8928
500:¥2.373
3,000:¥1.6724
6,000:查看
参考库存:17556
SIA436DJ-T4-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥4.9946
10:¥3.9776
100:¥3.0171
500:¥2.486
1,000:¥2.0001
3,000:¥1.808
参考库存:17559
NVMFS5C423NLWFAFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
5,000:¥3.5934
10,000:¥3.4578
25,000:¥3.3448
参考库存:17562
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