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晶体管
SPW35N60CFD参考图片

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SPW35N60CFD

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 600V 34.1A TO247-3 CoolMOS CFD
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库存：4,748(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥74.919
74.919
10
¥67.6983
676.983
25
¥64.5456
1613.64
100
¥56.0932
5609.32
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
34.1 A
Rds On-漏源导通电阻
118 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
313 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
21.1 mm
长度
16.13 mm
系列
CoolMOS CFD
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.21 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
65 ns
典型接通延迟时间
20 ns
零件号别名
SP000065487 SPW35N60CFDFKSA1 SPW35N6CFDXK
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，SPW35N60CFD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PMZ1000UN,315
Nexperia
晶体管
MOSFET MOSFET N-CH
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
10,000:¥0.49155
20,000:查看
参考库存:6870
RGTH80TS65DGC11
ROHM Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 650V 40A IGBT Stop Trench
1:¥28.1257
10:¥23.8995
100:¥20.7468
250:¥19.6733
参考库存:1364
RN1318(TE85L,F)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50volts 3Pin 47K x 10Kohms
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.30736
参考库存:7049
MMBT3906T-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) -40V 150mW
1:¥1.921
10:¥1.3108
100:¥0.54579
1,000:¥0.37629
3,000:¥0.29154
参考库存:9412
UMH11NTN
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL NPN 50V 50MA SOT-363
1:¥2.9945
10:¥2.0905
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:9851
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