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晶体管
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2SAR523EBTL

  • ROHM Semiconductor
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP General Purpose Amplification Transistor
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数量单价合计
1
¥1.2317
1.2317
10
¥1.09158
10.9158
100
¥0.3842
38.42
1,000
¥0.26103
261.03
3,000
¥0.20001
600.03
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
EMT-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 50 V
集电极—基极电压 VCBO
- 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 150 mV
最大直流电集电极电流
- 100 mA
增益带宽产品fT
300 MHz
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SAR523EB
直流电流增益 hFE 最大值
560
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ROHM Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
150 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
2SAR523EB
商品其它信息
优势价格，2SAR523EBTL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TSC5303DCP RO
Taiwan Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) High voltage NPN Transistor w/diode
5,000:¥1.7402
10,000:¥1.6046
25,000:¥1.5368
参考库存:29205
AGR21125EF
Advanced Semiconductor, Inc.
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.11-2.17GHz 28Watt Gain 14dB
10:¥793.373
30:¥702.7018
50:¥634.6984
100:¥612.0306
参考库存:29208
QPD2793
Qorvo
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.62-2.69GHz GaN 200W 48V
500:¥623.3306
参考库存:29211
2SJ360(F)
Toshiba
晶体管
MOSFET P-Ch 4-V gate drive RDS 0.55Ohm -60V
暂无价格
参考库存:29214
SIHH11N65E-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
3,000:¥16.0573
参考库存:29217
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