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晶体管
IPP041N04N G参考图片

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IPP041N04N G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS 3
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库存:4,395(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.9157
8.9157
10
¥7.6727
76.727
100
¥5.8986
589.86
500
¥5.198
2599
1,000
¥4.1132
4113.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
4.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
94 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
4.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.8 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
IPP041N04NGXKSA1 IPP41N4NGXK SP000680790
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP041N04N G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET N-Ch -40V JFET -0.3 1.0V Igss 1.0V Idss
71:¥101.2028
100:¥93.1346
250:¥84.9082
500:¥79.3712
参考库存:28628
晶体管
MOSFET T6 40V SG NCH SO8FL HEFET
1,500:¥9.9101
4,500:¥9.5259
9,000:¥9.1417
参考库存:28631
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥570.537
5:¥552.7056
10:¥535.959
25:¥511.7544
参考库存:28634
晶体管
MOSFET
1:¥74.9981
10:¥67.7774
25:¥64.6247
100:¥56.0932
参考库存:2410
晶体管
MOSFET MOSFET
2,500:¥3.9889
10,000:¥3.842
参考库存:28639
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