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晶体管
CG2H30070F-TB2参考图片

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CG2H30070F-TB2

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Test Board without GaN HEMT
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数量单价合计
1
¥6,627.45
6627.45
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
12 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流
12 A
输出功率
85 W
最大漏极/栅极电压
28 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
CG2H30070F
封装
Bulk
配置
Single
工作频率
0.5 GHz to 3 GHz
商标
Wolfspeed / Cree
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.8 V
商品其它信息
优势价格,CG2H30070F-TB2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V N-CHANNEL POWER TRENCH
1:¥11.6051
10:¥9.831
100:¥7.6049
500:¥6.7235
3,000:¥4.7008
9,000:查看
参考库存:2280
晶体管
MOSFET BUK7K8R7-40E/LFPAK56D/REEL 7
1:¥7.9891
10:¥6.8026
100:¥5.2206
500:¥4.6217
1,500:¥3.2318
9,000:查看
参考库存:1728
晶体管
MOSFET P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥4.9155
10:¥3.9211
100:¥2.9832
500:¥2.4634
1,000:¥1.9662
3,000:¥1.7854
参考库存:4962
晶体管
MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥13.221
10:¥10.9158
100:¥8.3733
500:¥7.1642
1,000:¥5.65
3,000:¥5.65
参考库存:4703
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
5,000:¥2.825
参考库存:31907
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