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晶体管
IRFR3708TRRPBF参考图片

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IRFR3708TRRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 24nC
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数量单价合计
3,000
¥4.6104
13831.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
61 A
Rds On-漏源导通电阻
14 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
24 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
87 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Smps MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
Infineon / IR
下降时间
3.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
50 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17.6 ns
典型接通延迟时间
7.2 ns
零件号别名
SP001575934
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IRFR3708TRRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 TRNS DARLINGTN TAPE7
1:¥2.147
10:¥1.4464
100:¥0.5989
1,000:¥0.41471
3,000:¥0.32318
参考库存:4567
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 3A 650V 35W 540pF 2.25 Ohm
1:¥12.5204
10:¥10.0683
100:¥7.684
500:¥6.7913
参考库存:2142
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
1:¥52.4094
10:¥51.9461
25:¥47.3357
100:¥42.7253
参考库存:2171
晶体管
MOSFET 40V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8L
1:¥7.6049
10:¥6.2828
100:¥4.8251
500:¥4.1471
1,000:¥3.277
3,000:¥3.0623
参考库存:2160
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE-7
1:¥1.3786
10:¥1.2995
100:¥0.46104
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23843
参考库存:7770
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