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晶体管
SIHB33N60E-E3参考图片

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SIHB33N60E-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
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库存:27,634(价格仅供参考)
数量单价合计
1,000
¥26.5889
26588.9
2,000
¥25.2781
50556.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
33 A
Rds On-漏源导通电阻
99 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
100 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
278 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
54 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
60 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
99 ns
典型接通延迟时间
28 ns
零件号别名
SIHB33N60E
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格,SIHB33N60E-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 650V 44A N-Channel SuperFET MOSFET
1:¥36.3408
10:¥30.8942
100:¥26.7358
250:¥25.4363
参考库存:7403
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
1:¥8.5315
10:¥6.9721
100:¥5.3562
500:¥4.5991
1,000:¥3.6386
参考库存:4482
晶体管
射频开发工具 1800W - 27MHz
1:¥8,516.4032
参考库存:3815
晶体管
MOSFET PSMN1R0-25YLD/LFPAK/REEL 7" Q1
1:¥9.9101
10:¥8.4524
100:¥6.5427
500:¥5.7743
1,500:¥4.0454
9,000:查看
参考库存:6722
晶体管
MOSFET N Channel 40V AEC-Q101 Qualified
1:¥7.6049
10:¥6.0455
100:¥4.5991
500:¥3.7968
1,000:¥3.0397
3,000:¥2.7459
参考库存:5866
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