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晶体管
SI1012CR-T1-GE3参考图片

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SI1012CR-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 20V Vds 8V Vgs SC75A
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库存：87,482(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.1471
4.1471
10
¥2.3956
23.956
100
¥1.4012
140.12
500
¥1.1413
570.65
3,000
¥0.76049
2281.47
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-75-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
600 mA
Rds On-漏源导通电阻
396 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
1.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
240 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.8 mm
长度
1.575 mm
系列
SI1
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
0.76 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
7.5 S
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
SI1012CR-GE3
单位重量
2 mg
商品其它信息
优势价格，SI1012CR-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N3960
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
1:¥105.655
10:¥96.05
25:¥88.8293
50:¥83.9816
参考库存:43614
JANSR2N7389
Microsemi
晶体管
MOSFET
1:¥3,207.2225
5:¥3,163.1186
10:¥3,052.3899
25:¥2,941.7403
参考库存:43617
BSM35GD120DLCE3224
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 70A
1:¥912.7801
5:¥895.9544
10:¥855.6925
25:¥827.1035
参考库存:43620
JANTX2N5665
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥352.3114
5:¥333.2596
10:¥329.4854
25:¥304.7497
参考库存:43623
2N5002
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥1,157.5946
2:¥1,134.8477
5:¥1,097.0492
10:¥1,077.2968
参考库存:43626
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