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晶体管
NGTB15N60S1EG参考图片

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NGTB15N60S1EG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 15A 600V IGBT
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库存:3,735(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.8311
11.8311
10
¥10.0683
100.683
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.0625
3531.25
1,000
¥5.8534
5853.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
47 W
系列
NGTB15N60S1
封装
Tube
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
50
子类别
IGBTs
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格,NGTB15N60S1EG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET DUAL N-CH. ER TRENCH MO
1:¥5.6048
10:¥4.6669
100:¥3.0058
1,000:¥2.4069
3,000:¥2.034
参考库存:8054
晶体管
IGBT 晶体管 600V/60A Field Stop IGBT Gen 2
1:¥49.4036
10:¥44.6463
25:¥42.5671
100:¥36.9623
参考库存:3974
晶体管
达林顿晶体管 Seven NPN Array
1:¥4.3844
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
参考库存:26757
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 59A 25mOhm 76nC
1:¥20.2835
10:¥17.289
100:¥14.9838
250:¥14.2154
500:¥12.7577
800:¥12.7577
参考库存:5756
晶体管
MOSFET MOSFT 60V 300A 1.9mOhm 110nC LogLv7
1:¥26.2047
10:¥22.2836
100:¥19.2891
250:¥18.3625
800:¥13.8312
2,400:查看
参考库存:7007
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