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晶体管
SIHB24N65ET1-GE3参考图片

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SIHB24N65ET1-GE3

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库存:27,345(价格仅供参考)
数量单价合计
800
¥27.1991
21759.28
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
700 V
Id-连续漏极电流
24 A
Rds On-漏源导通电阻
145 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
81 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
E
宽度
9.65 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
69 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
84 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
24 ns
单位重量
2.200 g
商品其它信息
优势价格,SIHB24N65ET1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
1:¥2.4634
10:¥1.5707
100:¥0.65314
1,000:¥0.44522
3,000:¥0.33787
参考库存:21271
晶体管
MOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFETs
1:¥8.8366
10:¥7.5258
100:¥5.7969
500:¥5.1302
2,500:¥3.5934
10,000:查看
参考库存:50844
晶体管
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench
1:¥6.9947
10:¥5.8082
100:¥3.7516
1,000:¥3.0058
2,500:¥3.0058
参考库存:34789
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BCP56-16T/SC-73/REEL 13" Q1/T1
1:¥2.9945
10:¥1.9549
100:¥0.83733
1,000:¥0.64523
4,000:¥0.49155
参考库存:73247
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 3.9 mOhm typ., 180 A STripFET F3 Power MOSFET in H2PAK-6 package
1:¥36.3408
10:¥30.8942
100:¥26.7358
250:¥25.4363
1,000:¥19.21
2,000:查看
参考库存:4881
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