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晶体管

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CGHV35060MP

  • Wolfspeed / Cree
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  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 2.7-3.1GHz, 60 Watt
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250
¥1,071.9971
267999.275
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
14.5 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流
10.4 A
输出功率
75 W
最大漏极/栅极电压
50 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 107 C
Pd-功率耗散
52 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Reel
应用
S Band Radar and LTE base stations
配置
Single
工作频率
3.5 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 107 C
商标
Wolfspeed / Cree
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格，CGHV35060MP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRFM120ATF
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 100V Single
1:¥4.7686
10:¥4.0115
100:¥2.5877
1,000:¥2.0679
4,000:¥1.7402
参考库存:5523
PSMN022-30PL,127
Nexperia
晶体管
MOSFET N-CHAN 30V 30A
1:¥5.8421
10:¥4.8025
100:¥3.0962
1,000:¥2.486
参考库存:19532
UJ3C065030K3S
UnitedSiC
晶体管
MOSFET 650V/30mOhm SiC CASCODE G3
1:¥237.7407
5:¥227.0622
10:¥219.9884
25:¥202.1683
参考库存:1946
ECH8310-TL-H
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET SWITCHING DEVICE
1:¥5.763
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
3,000:¥2.0792
参考库存:6908
FC8V22040L
Panasonic
晶体管
MOSFET Nch+Nch MOS FET
1:¥11.3678
10:¥9.9892
100:¥7.91
500:¥6.1585
1,000:¥4.859
3,000:¥4.859
参考库存:5122
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