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晶体管
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TP2435N8-G

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库存:6,893(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.7576
10.7576
10
¥10.5994
105.994
25
¥8.9157
222.8925
100
¥8.1473
814.73
2,000
¥5.6161
11232.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
350 V
Id-连续漏极电流
231 mA
Rds On-漏源导通电阻
15 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.6 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.6 mm
长度
4.6 mm
产品
MOSFET Small Signal
晶体管类型
1 P-Channel
类型
FET
宽度
2.6 mm
商标
Microchip Technology
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
52.800 mg
商品其它信息
优势价格,TP2435N8-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500V PNP HiPerf Transistor
1:¥4.5313
10:¥3.8194
100:¥2.3278
1,000:¥1.7967
2,000:¥1.5368
参考库存:16266
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
1:¥22.5887
10:¥18.7467
100:¥14.5205
500:¥12.6786
参考库存:4069
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥669.8188
5:¥648.2245
10:¥627.941
25:¥598.6627
参考库存:16271
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥4.068
10:¥3.4013
100:¥2.0792
1,000:¥1.6046
3,000:¥1.3673
参考库存:5074
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
1:¥81.5295
10:¥74.919
25:¥71.8454
100:¥63.3139
参考库存:2476
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