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晶体管
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VN2210N3-G

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库存:2,192(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.5996
14.5996
10
¥14.3736
143.736
25
¥12.0684
301.71
100
¥10.9836
1098.36
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
1.2 A
Rds On-漏源导通电阻
4 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
FET
宽度
4.19 mm
商标
Microchip Technology
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
450 mg
商品其它信息
优势价格,VN2210N3-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Quad N-Channel Array
1:¥36.6572
10:¥32.7361
25:¥29.4252
50:¥28.6568
参考库存:1258
晶体管
MOSFET MV POWER MOS
1:¥6.8365
10:¥5.7065
100:¥3.6838
1,000:¥2.9493
5,000:¥2.486
参考库存:21333
晶体管
IGBT 晶体管 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT
1:¥12.0684
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥6.9721
1,000:¥5.5144
2,500:¥4.8816
参考库存:2896
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
10,000:¥0.89157
20,000:¥0.81473
50,000:¥0.78422
100,000:¥0.75258
参考库存:31802
晶体管
MOSFET Automotive-grade P-channel -30 V, 0.027 Ohm typ., -12 A, STripFET H6 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥6.6105
10:¥5.5935
100:¥4.3053
500:¥3.8081
2,500:¥2.6555
10,000:查看
参考库存:2464
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