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晶体管
ULN2003ANSRG4参考图片

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ULN2003ANSRG4

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays
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库存:33,261(价格仅供参考)
数量单价合计
2,000
¥1.921
3842
4,000
¥1.7854
7141.6
10,000
¥1.7176
17176
24,000
¥1.6498
39595.2
50,000
¥1.5933
79665
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Array 7
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
最大直流电集电极电流
0.5 A
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-16
最小工作温度
- 20 C
最大工作温度
+ 70 C
系列
ULN2003A
封装
Reel
高度
1.95 mm
长度
10.3 mm
工作温度范围
- 20 C to + 70 C
宽度
5.3 mm
商标
Texas Instruments
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
单位重量
200.700 mg
商品其它信息
优势价格,ULN2003ANSRG4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET DUAL N-CHAN ENHANCE MODE
1:¥3.616
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
2,500:¥1.2317
参考库存:5616
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Enh FET 500mA 350Vcbo 350Vceo
1:¥4.1471
10:¥3.4691
100:¥2.1809
1,000:¥1.6385
3,000:¥1.4012
参考库存:4916
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 40V 1A 3-PIN
1:¥2.8476
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
9,000:¥0.72998
参考库存:7535
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) General-purpose bipolar transistors
1:¥3.4578
10:¥2.2374
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.56048
参考库存:6817
晶体管
MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -1.0A -30V -20VGS
1:¥3.1527
10:¥2.034
100:¥0.85315
1,000:¥0.5763
10,000:¥0.37629
20,000:查看
参考库存:10731
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