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晶体管
IFN423参考图片

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IFN423

  • InterFET
  • 新批次
  • JFET Very high input impedence
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库存:33,252(价格仅供参考)
数量单价合计
65
¥110.8078
7202.507
100
¥101.9712
10197.12
250
¥92.9764
23244.1
500
¥86.9083
43454.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
InterFET
产品种类
JFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-78-8
晶体管极性
N-Channel
配置
Dual
Vds-漏源极击穿电压
10 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 60 V
Vgs=0时的漏-源电流
1 mA
Id-连续漏极电流
30 uA
Pd-功率耗散
400 mW
系列
IFN423
封装
Bulk
类型
JFET
商标
InterFET
正向跨导 - 最小值
100 uS
闸/源截止电压
- 2 V
工厂包装数量
1
商品其它信息
优势价格,IFN423的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil
1:¥3.5369
10:¥2.9041
100:¥1.7628
1,000:¥1.3673
2,500:¥1.1639
参考库存:5438
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200Vcbo 100Vceo 6.0Vebo 6.0A 3.0W
1:¥4.1471
10:¥3.4691
100:¥2.1809
1,000:¥1.6385
2,000:¥1.4012
参考库存:6430
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN DIGITAL TRANSISTOR (B
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
8,000:¥0.66896
24,000:查看
参考库存:26045
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 8.5A 550V 40W 1050pF 0.86
1:¥15.594
10:¥12.5204
100:¥10.0683
500:¥8.8366
参考库存:26048
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 12.5A 550V 45W 1800pF 0.48
1:¥22.1254
10:¥17.8314
100:¥16.2155
250:¥14.6787
参考库存:26051
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