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晶体管
DGTD65T40S2PT参考图片

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DGTD65T40S2PT

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库存:32,783(价格仅供参考)
数量单价合计
450
¥17.8314
8024.13
900
¥15.9782
14380.38
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
230 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
Diodes Incorporated
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,DGTD65T40S2PT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SWITCHING DEVICE
1:¥13.6052
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.1473
3,000:¥6.2263
6,000:查看
参考库存:7534
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥14.5996
10:¥12.1362
25:¥10.1474
100:¥9.2208
2,000:¥5.9438
参考库存:25149
晶体管
MOSFET -60V7.7MOHMSINGLE
1:¥20.3626
10:¥17.289
100:¥15.0629
250:¥14.2945
5,000:¥9.831
参考库存:14539
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥7.5258
10:¥6.3054
25:¥5.2206
100:¥4.7686
2,000:¥3.0736
参考库存:25154
晶体管
MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
1:¥3.2996
10:¥2.7685
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:4659
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  • 价格优势
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