您好!欢迎来到宝华芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
AFT18S290-13SR3参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

AFT18S290-13SR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF1 1.8GHZ NI-880X-2L4S
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:31,211(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥908.1697
227042.425
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
18.2 dB
输出功率
63 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-880XS-2L4S
封装
Reel
配置
Dual
工作频率
1995 MHz
系列
AFT18S290_13S
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
263 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
零件号别名
935317893128
单位重量
9.734 g
商品其它信息
优势价格,AFT18S290-13SR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.031 Ohm typ., 68 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package
1:¥89.5977
10:¥80.9871
25:¥77.2242
100:¥67.0768
参考库存:30190
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1000W -45Vceo
2,500:¥1.00683
参考库存:30193
晶体管
MOSFET
1,000:¥21.5152
2,000:¥20.4417
参考库存:30196
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 package
1:¥34.1147
10:¥29.041
100:¥25.1312
250:¥23.8204
参考库存:4872
晶体管
MOSFET T6 40V S08FL
5,000:¥3.2318
10,000:¥3.1075
25,000:¥3.0171
参考库存:30201
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市毅创辉电子科技有限公司

电话:0755-82865099

手机:19129491934

传真:0755-83267787

Email: sunny@yichuanghui.com

Q Q:

地址:深圳市福田区华强北路宝华大厦A座2028


微信联系我们

QQ二维码

Copyright © 2010-2020 深圳市毅创辉电子科技有限公司 粤ICP备12090764号

24小时在线客服
热线电话

0755-82865099

微信联系我们 微信扫码联系我们