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晶体管
IPW60R280C6参考图片

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IPW60R280C6

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 600V 13.8A TO247-3 CoolMOS C6
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库存:1,637(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.8938
22.8938
10
¥19.436
194.36
100
¥16.9048
1690.48
250
¥15.9782
3994.55
500
¥14.3736
7186.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
13.8 A
Rds On-漏源导通电阻
250 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
43 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
104 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
21.1 mm
长度
16.13 mm
系列
CoolMOS C6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.21 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
100 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
IPW60R280C6FKSA1 IPW6R28C6XK SP000645032
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IPW60R280C6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥3.0736
10:¥2.3843
100:¥1.2882
1,000:¥0.96841
3,000:¥0.83733
9,000:¥0.78422
参考库存:9732
晶体管
MOSFET Pch -20V -6A Si MOSFET
1:¥4.9155
10:¥4.1471
100:¥2.6781
1,000:¥2.1357
3,000:¥1.808
参考库存:7275
晶体管
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench
1:¥10.7576
10:¥9.2208
100:¥7.0286
500:¥6.215
1,000:¥4.9155
2,500:¥4.9155
参考库存:34944
晶体管
MOSFET 12V Enh Mode FET
1:¥3.2318
10:¥2.486
100:¥1.356
1,000:¥1.01474
3,000:¥0.87575
9,000:¥0.81473
参考库存:9516
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
1:¥35.3464
10:¥30.0467
100:¥26.0465
250:¥24.6679
1,000:¥18.6676
2,000:查看
参考库存:4414
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